loader
← Каталог

SI7252ADP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 23А; Idm: 70А

SI7252ADP-T1-GE3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

По запросу

  Техническая документация: SI7252ADP-T1-GE3.pdf

Монтаж

SMD

Вид канала

обогащенный

Рассеиваемая мощность

21,6Вт

Производитель

VISHAY

Ток стока в импульсном режиме

70А

Ток стока

23А

Корпус

PowerPAK® SO8

Технология

TrenchFET®

Напряжение сток-исток

100В

Сопротивление в открытом состоянии

22,5мОм

Заряд затвора

26,5нC

Тип транзистора

N-MOSFET x2

Вид упаковки

лента

Напряжение затвор-исток

±20В

Полярность

полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SI7252ADP-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SI7252ADP-T1-GE3 VISHAY Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 23А; Idm: 70А можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
27 - 35 дней
Vishay
SI7252ADP-T1-GE3

#SI7252ADP-T1-GE3

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 23А; Idm: 70А

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 6000 шт.
Кратность: 6000 шт.

Vishay
SI7252ADP-T1-GE3

#SI7252ADP-T1-GE3


Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 23А; Idm: 70А

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 6000 шт.
Кратность: 6000 шт.