UM6J1NTN Транзистор: P-MOSFET x2

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ROHM SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: UM6J1NTN.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	150мВт
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока в импульсном режиме	-0,4А
Ток стока	-200мА
Корпус	UMT6
Напряжение сток-исток	-30В
Сопротивление в открытом состоянии	2,4Ом
Тип транзистора	P-MOSFET x2
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для UM6J1NTN с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить UM6J1NTN ROHM SEMICONDUCTOR Транзистор: P-MOSFET x2 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	ROHM SEMICONDUCTOR UM6J1NTN #UM6J1NTN Транзистор: P-MOSFET x2	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт.	Запросить	ROHM SEMICONDUCTOR UM6J1NTN #UM6J1NTN Транзистор: P-MOSFET x2 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽