US6J11TR Транзистор: P-MOSFET x2

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ROHM SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: US6J11TR.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	1Вт
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока в импульсном режиме	-5,2А
Ток стока	-1,3А
Корпус	TUMT6
Напряжение сток-исток	-12В
Сопротивление в открытом состоянии	1,06Ом
Заряд затвора	2,4нC
Тип транзистора	P-MOSFET x2
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±10В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для US6J11TR с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить US6J11TR ROHM SEMICONDUCTOR Транзистор: P-MOSFET x2 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	ROHM SEMICONDUCTOR US6J11TR #US6J11TR Транзистор: P-MOSFET x2	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3 шт. Кратность: 3 шт.	Запросить	ROHM SEMICONDUCTOR US6J11TR #US6J11TR Транзистор: P-MOSFET x2 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3 шт. Кратность: 3 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽