Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 3

2А; 1,26Вт; X2-DFN1010-3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

DIODES()

DIODES

DIODES INCORPORATED

По запросу

Запросить

Техническая документация: DMN1045UFR4-7.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	1,26Вт
Производитель	DIODES INCORPORATED
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока	3,2А
Корпус	X2-DFN1010-3
Напряжение сток-исток	12В
Сопротивление в открытом состоянии	0,1Ом
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±8В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для DMN1045UFR4-7 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить DMN1045UFR4-7 DIODES(), DIODES, DIODES INCORPORATED Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 3,2А; 1,26Вт; X2-DFN1010-3 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 6

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0709 Поставка: 30 - 45 дней	DIODES() DMN1045UFR4-7 #DMN1045UFR4-7 2226	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	DIODES() DMN1045UFR4-7 #DMN1045UFR4-7 2226 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0715 Поставка: 30 - 45 дней	Diodes DMN1045UFR4-7 #DMN1045UFR4-7 DFN1010-3	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Diodes DMN1045UFR4-7 #DMN1045UFR4-7 DFN1010-3 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0202 Поставка: 27 - 35 дней	DIODES INCORPORATED DMN1045UFR4-7 #DMN1045UFR4-7 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 3,2А; 1,26Вт; X2-DFN1010-3	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт.	Запросить	DIODES INCORPORATED DMN1045UFR4-7 #DMN1045UFR4-7 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 3,2А; 1,26Вт; X2-DFN1010-3 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт. Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Diodes Incorporated DMN1045UFR4-7 МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Diodes Incorporated DMN1045UFR4-7 МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Diodes Incorporated DMN1045UFR4-7 #DIIDMN1045UFR47 MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1010-3 T&R 3K	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт.	Запросить	Diodes Incorporated DMN1045UFR4-7 #DIIDMN1045UFR47 MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1010-3 T&R 3K Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт. Запросить
#02301 Поставка: 30 - 40 дней	Diodes Incorporated DMN1045UFR4-7 50750	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Diodes Incorporated DMN1045UFR4-7 50750 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽