Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7 Транзистор: N-MOSFET

Внешний вид товара может отличаться от представленного

DIODES INCORPORATED

По запросу

Запросить

Техническая документация: DMN2008LFU-7.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	1,7Вт
Производитель	DIODES INCORPORATED
Ток стока в импульсном режиме	75А
Ток стока	11,5А
Корпус	U-DFN2030-6
Напряжение сток-исток	20В
Сопротивление в открытом состоянии	9,6мОм
Заряд затвора	42,3нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±12В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для DMN2008LFU-7 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить DMN2008LFU-7 DIODES INCORPORATED Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 2

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	DIODES INCORPORATED DMN2008LFU-7 #DMN2008LFU-7 Транзистор: N-MOSFET	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт.	Запросить	DIODES INCORPORATED DMN2008LFU-7 #DMN2008LFU-7 Транзистор: N-MOSFET Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт. Запросить
	#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Diodes Incorporated DMN2008LFU-7	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Diodes Incorporated DMN2008LFU-7 None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽