Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13 Транзистор: N-MOSFET

Внешний вид товара может отличаться от представленного

DIODES INCORPORATED

По запросу

Запросить

Техническая документация: DMN3016LDN-13.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	1,6Вт
Производитель	DIODES INCORPORATED
Ток стока в импульсном режиме	45А
Ток стока	7,3А
Корпус	V-DFN3030-8
Напряжение сток-исток	30В
Сопротивление в открытом состоянии	24мОм
Заряд затвора	25,1нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для DMN3016LDN-13 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить DMN3016LDN-13 DIODES INCORPORATED Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	DIODES INCORPORATED DMN3016LDN-13 #DMN3016LDN-13 Транзистор: N-MOSFET	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10000 шт. Кратность: 10000 шт.	Запросить	DIODES INCORPORATED DMN3016LDN-13 #DMN3016LDN-13 Транзистор: N-MOSFET Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10000 шт. Кратность: 10000 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽