loader
← Каталог

DMN30H4D0LFDE-13 Транзистор: N-MOSFET

DMN30H4D0LFDE-13

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: DMN30H4D0LFDE-13.pdf

Монтаж

SMD

Вид канала

обогащенный

Рассеиваемая мощность

1,98Вт

Производитель

DIODES INCORPORATED

Ток стока в импульсном режиме

Ток стока

430мА

Корпус

U-DFN2020-6

Напряжение сток-исток

300В

Сопротивление в открытом состоянии

6Ом

Заряд затвора

7,6нC

Тип транзистора

N-MOSFET

Вид упаковки

лента

Напряжение затвор-исток

±20В

Полярность

полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для DMN30H4D0LFDE-13 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить DMN30H4D0LFDE-13 DIODES INCORPORATED Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 2
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
40 - 60 дней
DIODES INCORPORATED
DMN30H4D0LFDE-13

#DMN30H4D0LFDE-13

Транзистор: N-MOSFET

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10000 шт.
Кратность: 10000 шт.

DIODES INCORPORATED
DMN30H4D0LFDE-13

#DMN30H4D0LFDE-13


Транзистор: N-MOSFET

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10000 шт.
Кратность: 10000 шт.

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
Diodes Incorporated
DMN30H4D0LFDE-13
МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10000 шт.
Кратность: 10000 шт.

Diodes Incorporated
DMN30H4D0LFDE-13 МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10000 шт.
Кратность: 10000 шт.