Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — DMN60H080DS-13

DMN60H080DS-13 Транзистор: N-MOSFET

Внешний вид товара может отличаться от представленного

DIODES()

DIODES INCORPORATED

По запросу

DIODES() DMN60H080DS-13 DMN60H080DS-13

30-45 дней со склада #0709

10000 шт. доступно В наличии на складе #0709.
Срок поставки со склада – 30-45 дней
Мин. заказ со склада: 10000 руб.

Запросить

Техническая документация: DMN60H080DS-13.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	1,1Вт
Производитель	DIODES INCORPORATED
Ток стока в импульсном режиме	0,2А
Ток стока	70мА
Корпус	SOT23
Напряжение сток-исток	600В
Сопротивление в открытом состоянии	290мОм
Заряд затвора	1,7нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для DMN60H080DS-13 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить DMN60H080DS-13 DIODES(), DIODES INCORPORATED Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 5

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0709 Поставка: 30 - 45 дней	DIODES() DMN60H080DS-13 #DMN60H080DS-13 2237	Цены по запросу	10000 шт. В наличии на складе #0709. Срок поставки со склада – 30-45 дней Мин. заказ со склада: 10000 руб. Поставка: 30-45 дней	Запросить	DIODES() DMN60H080DS-13 #DMN60H080DS-13 2237 Цены по запросу 10000 шт. В наличии на складе #0709. Срок поставки со склада – 30-45 дней Мин. заказ со склада: 10000 руб. Поставка: 30-45 дней Запросить
#0202 Поставка: 27 - 35 дней	DIODES INCORPORATED DMN60H080DS-13 #DMN60H080DS-13 Транзистор: N-MOSFET	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10000 шт. Кратность: 10000 шт.	Запросить	DIODES INCORPORATED DMN60H080DS-13 #DMN60H080DS-13 Транзистор: N-MOSFET Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10000 шт. Кратность: 10000 шт. Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	Diodes Incorporated DMN60H080DS-13 MOSFET BVDSS: 501V 650V SSOT23 T	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10000 шт. Кратность: 10000 шт.	Запросить	Diodes Incorporated DMN60H080DS-13 MOSFET BVDSS: 501V 650V SSOT23 T Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10000 шт. Кратность: 10000 шт. Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Diodes Incorporated DMN60H080DS-13	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Diodes Incorporated DMN60H080DS-13 None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Diodes Incorporated DMN60H080DS-13 #DIIDMN60H080DS13 MOSFET BVDSS: 501V~650V SSOT23 T&R 10K	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10000 шт. Кратность: 10000 шт.	Запросить	Diodes Incorporated DMN60H080DS-13 #DIIDMN60H080DS13 MOSFET BVDSS: 501V~650V SSOT23 T&R 10K Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10000 шт. Кратность: 10000 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽