DMN61D8L-13
#DMN61D8L-13
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: DMN61D8L-13.pdf
Монтаж |
SMD |
Вид канала |
обогащенный |
Рассеиваемая мощность |
610мВт |
Производитель |
DIODES INCORPORATED |
Ток стока |
370мА |
Корпус |
SOT23 |
Напряжение сток-исток |
60В |
Сопротивление в открытом состоянии |
2,4Ом |
Заряд затвора |
740пC |
Тип транзистора |
N-MOSFET |
Вид упаковки |
лента |
Напряжение затвор-исток |
±12В |
Полярность |
полевой |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для DMN61D8L-13 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить DMN61D8L-13 DIODES INCORPORATED Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
---|---|---|---|---|---|---|
#0202
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |