Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0

33А; 0,3Вт; SOT323

Внешний вид товара может отличаться от представленного

DIODES INCORPORATED

По запросу

Запросить

Техническая документация: DMN63D8LW-13.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	0,3Вт
Производитель	DIODES INCORPORATED
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока	0,33А
Корпус	SOT323
Напряжение сток-исток	30В
Сопротивление в открытом состоянии	3,8Ом
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для DMN63D8LW-13 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить DMN63D8LW-13 DIODES INCORPORATED Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,33А; 0,3Вт; SOT323 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	DIODES INCORPORATED DMN63D8LW-13 #DMN63D8LW-13 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,33А; 0,3Вт; SOT323	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 25 шт. Кратность: 25 шт.	Запросить	DIODES INCORPORATED DMN63D8LW-13 #DMN63D8LW-13 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,33А; 0,3Вт; SOT323 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 25 шт. Кратность: 25 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽