Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13 Транзистор: N-MOSFET

Внешний вид товара может отличаться от представленного

DIODES()

DIODES

DIODES INCORPORATED

По запросу

Запросить

Техническая документация: DMT10H015LSS-13.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	1,67Вт
Производитель	DIODES INCORPORATED
Ток стока в импульсном режиме	54А
Ток стока	6,7А
Корпус	SO8
Напряжение сток-исток	100В
Сопротивление в открытом состоянии	25мОм
Заряд затвора	33,3нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для DMT10H015LSS-13 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить DMT10H015LSS-13 DIODES(), DIODES, DIODES INCORPORATED Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 7

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0709 Поставка: 30 - 45 дней	DIODES() DMT10H015LSS-13 #DMT10H015LSS-13	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	DIODES() DMT10H015LSS-13 #DMT10H015LSS-13 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0715 Поставка: 30 - 45 дней	Diodes DMT10H015LSS-13 #DMT10H015LSS-13 SO-8	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Diodes DMT10H015LSS-13 #DMT10H015LSS-13 SO-8 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0202 Поставка: 40 - 60 дней	DIODES INCORPORATED DMT10H015LSS-13 #DMT10H015LSS-13 Транзистор: N-MOSFET	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт.	Запросить	DIODES INCORPORATED DMT10H015LSS-13 #DMT10H015LSS-13 Транзистор: N-MOSFET Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт. Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	Diodes Incorporated DMT10H015LSS-13 MOSFET N-CH 100V 8.3A	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Diodes Incorporated DMT10H015LSS-13 MOSFET N-CH 100V 8.3A Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	Diodes Incorporated DMT10H015LSS-13 MOSFET N-CH 100V 8.3A	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Diodes Incorporated DMT10H015LSS-13 MOSFET N-CH 100V 8.3A Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	Diodes Incorporated DMT10H015LSS-13 MOSFET N-CH 100V 8.3A	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт.	Запросить	Diodes Incorporated DMT10H015LSS-13 MOSFET N-CH 100V 8.3A Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт. Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Diodes Incorporated DMT10H015LSS-13 МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Diodes Incorporated DMT10H015LSS-13 МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽