Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — DMT10H015SK3-13

DMT10H015SK3-13 Транзистор: N-MOSFET; 100В; 43А; Idm: 215А; 2

9Вт; TO252/DPAK

Внешний вид товара может отличаться от представленного

DIODES INCORPORATED

По запросу

Запросить

Техническая документация: DMT10H015SK3-13.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	2,9Вт
Производитель	DIODES INCORPORATED
Ток стока в импульсном режиме	215А
Ток стока	43А
Корпус	TO252
Напряжение сток-исток	100В
Сопротивление в открытом состоянии	11,1мОм
Заряд затвора	30,1нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для DMT10H015SK3-13 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить DMT10H015SK3-13 DIODES INCORPORATED Транзистор: N-MOSFET; 100В; 43А; Idm: 215А; 2,9Вт; TO252/DPAK можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	DIODES INCORPORATED DMT10H015SK3-13 #DMT10H015SK3-13 Транзистор: N-MOSFET; 100В; 43А; Idm: 215А; 2,9Вт; TO252/DPAK	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	DIODES INCORPORATED DMT10H015SK3-13 #DMT10H015SK3-13 Транзистор: N-MOSFET; 100В; 43А; Idm: 215А; 2,9Вт; TO252/DPAK Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽