loader
← Каталог

DMT3003LFG-13 Транзистор: N-MOSFET

DMT3003LFG-13

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: DMT3003LFG-13.pdf

Монтаж

SMD

Вид канала

обогащенный

Рассеиваемая мощность

2,4Вт

Производитель

DIODES INCORPORATED

Ток стока в импульсном режиме

100А

Ток стока

18А

Корпус

PowerDI3333-8

Напряжение сток-исток

30В

Сопротивление в открытом состоянии

5,5мОм

Заряд затвора

44нC

Тип транзистора

N-MOSFET

Вид упаковки

лента

Напряжение затвор-исток

±20В

Полярность

полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для DMT3003LFG-13 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить DMT3003LFG-13 DIODES INCORPORATED Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 2
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
27 - 35 дней
DIODES INCORPORATED
DMT3003LFG-13

#DMT3003LFG-13

Транзистор: N-MOSFET

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 3000 шт.
Кратность: 3000 шт.

DIODES INCORPORATED
DMT3003LFG-13

#DMT3003LFG-13


Транзистор: N-MOSFET

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 3000 шт.
Кратность: 3000 шт.

#0205
Поставка:
40 - 60 дней
Diodes Incorporated
DMT3003LFG-13
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 3000 шт.
Кратность: 3000 шт.

Diodes Incorporated
DMT3003LFG-13 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 3000 шт.
Кратность: 3000 шт.