FQB19N20TM
#FQB19N20TM
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: FQB19N20TM.pdf
Монтаж |
SMD |
Вид канала |
обогащенный |
Рассеиваемая мощность |
140Вт |
Производитель |
ONSEMI |
Ток стока в импульсном режиме |
78А |
Ток стока |
12,3А |
Корпус |
D2PAK |
Технология |
QFET® |
Напряжение сток-исток |
200В |
Сопротивление в открытом состоянии |
150мОм |
Заряд затвора |
40нC |
Тип транзистора |
N-MOSFET |
Вид упаковки |
лента |
Напряжение затвор-исток |
±30В |
Полярность |
полевой |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для FQB19N20TM с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить FQB19N20TM ON SEMICONDUCTOR Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
---|---|---|---|---|---|---|
#0202
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |