Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — FQB8N60CTM

FQB8N60CTM Транзистор: N-MOSFET

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ON SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: FQB8N60CTM.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	147Вт
Производитель	ONSEMI
Ток стока в импульсном режиме	30А
Ток стока	4,6А
Корпус	D2PAK
Технология	QFET®
Напряжение сток-исток	600В
Сопротивление в открытом состоянии	1,2Ом
Заряд затвора	36нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±30В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для FQB8N60CTM с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить FQB8N60CTM ON SEMICONDUCTOR Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	ON Semiconductor FQB8N60CTM #FQB8N60CTM Транзистор: N-MOSFET	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ON Semiconductor FQB8N60CTM #FQB8N60CTM Транзистор: N-MOSFET Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽