FQD4N20TM
#FQD4N20TM
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: FQD4N20TM.pdf
Монтаж |
SMD |
Вид канала |
обогащенный |
Рассеиваемая мощность |
30Вт |
Производитель |
ONSEMI |
Ток стока в импульсном режиме |
12А |
Ток стока |
1,95А |
Корпус |
DPAK |
Напряжение сток-исток |
200В |
Сопротивление в открытом состоянии |
1,4Ом |
Заряд затвора |
6,5нC |
Тип транзистора |
N-MOSFET |
Вид упаковки |
лента |
Напряжение затвор-исток |
±30В |
Полярность |
полевой |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для FQD4N20TM с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить FQD4N20TM ON SEMICONDUCTOR Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
---|---|---|---|---|---|---|
#0202
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |