Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — G2R1000MT17J

G2R1000MT17J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1

7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7

Внешний вид товара может отличаться от представленного

GENESIC SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: G2R1000MT17J.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	54Вт
Производитель	GeneSiC SEMICONDUCTOR
Характеристики полупроводниковых элементов	вывод Кельвина
Ток стока в импульсном режиме	8А
Ток стока	4А
Корпус	TO263-7
Технология	SiC
Напряжение сток-исток	1,7кВ
Сопротивление в открытом состоянии	1000мОм
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	туба
Напряжение затвор-исток	-5...20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для G2R1000MT17J с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить G2R1000MT17J GENESIC SEMICONDUCTOR Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT17J #G2R1000MT17J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT17J #G2R1000MT17J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽