loader
← Каталог

G2R1000MT17J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1

,

7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7

G2R1000MT17J

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: G2R1000MT17J.pdf

Монтаж

SMD

Вид канала

обогащенный

Рассеиваемая мощность

54Вт

Производитель

GeneSiC SEMICONDUCTOR

Характеристики полупроводниковых элементов

вывод Кельвина

Ток стока в импульсном режиме

Ток стока

Корпус

TO263-7

Технология

SiC

Напряжение сток-исток

1,7кВ

Сопротивление в открытом состоянии

1000мОм

Тип транзистора

N-MOSFET

Вид упаковки

туба

Напряжение затвор-исток

-5...20В

Полярность

полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для G2R1000MT17J с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить G2R1000MT17J GENESIC SEMICONDUCTOR Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
40 - 60 дней
GeneSiC SEMICONDUCTOR
G2R1000MT17J

#G2R1000MT17J

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

GeneSiC SEMICONDUCTOR
G2R1000MT17J

#G2R1000MT17J


Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка