Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — IPD600N25N3GATMA1

IPD600N25N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 18А; Idm: 100А; 136Вт

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

По запросу

Запросить

Техническая документация: IPD600N25N3GATMA1.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Ток стока в импульсном режиме	100А
Ток стока	18А
Корпус	PG-TO252-3
Технология	OptiMOS™ 3
Рассеиваемая мощность	136Вт
Сопротивление в открытом состоянии	60мОм
Тип транзистора	N-MOSFET
Напряжение сток-исток	250В
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IPD600N25N3GATMA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IPD600N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 18А; Idm: 100А; 136Вт можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Infineon Technologies IPD600N25N3GATMA1 #IPD600N25N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 18А; Idm: 100А; 136Вт	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт.	Запросить	Infineon Technologies IPD600N25N3GATMA1 #IPD600N25N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 18А; Idm: 100А; 136Вт Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽