loader
← Каталог

IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 650В; 2

,

2А; Idm: 6А

IPD60R1K5PFD7SAUMA1

Внешний вид товара может отличаться от представленного

Монтаж

SMD

Вид канала

обогащенный

Производитель

INFINEON TECHNOLOGIES

Характеристики полупроводниковых элементов

ESD protected gate

Ток стока в импульсном режиме

Ток стока

2,2А

Корпус

TO252

Технология

CoolMOS™ PFD7

Рассеиваемая мощность

22Вт

Сопротивление в открытом состоянии

2,892Ом

Тип транзистора

N-MOSFET

Напряжение сток-исток

600В

Напряжение затвор-исток

±20В

Полярность

полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IPD60R1K5PFD7SAUMA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IPD60R1K5PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 650В; 2,2А; Idm: 6А можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
27 - 35 дней
Infineon Technologies
IPD60R1K5PFD7SAUMA1

#IPD60R1K5PFD7S

Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 650В; 2,2А; Idm: 6А

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 2500 шт.
Кратность: 2500 шт.

Infineon Technologies
IPD60R1K5PFD7SAUMA1

#IPD60R1K5PFD7S


Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 650В; 2,2А; Idm: 6А

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 2500 шт.
Кратность: 2500 шт.