Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — IPD60R600P7SAUMA1

IPD60R600P7SAUMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

По запросу

Запросить

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока в импульсном режиме	16А
Ток стока	4А
Корпус	PG-TO252-3
Технология	CoolMOS™ P7
Рассеиваемая мощность	30Вт
Сопротивление в открытом состоянии	0,6Ом
Заряд затвора	9нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Напряжение сток-исток	600В
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IPD60R600P7SAUMA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Infineon Technologies IPD60R600P7SAUMA1 #IPD60R600P7SAUMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Infineon Technologies IPD60R600P7SAUMA1 #IPD60R600P7SAUMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽