Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — IPN60R3K4CEATMA1

IPN60R3K4CEATMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 1

6А; Idm: 3,9А; 5Вт; PG-SOT223

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

По запросу

Запросить

Техническая документация: IPN60R3K4CEATMA1.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Ток стока в импульсном режиме	3,9А
Ток стока	1,6А
Корпус	PG-SOT223
Технология	CoolMOS™ CE
Рассеиваемая мощность	5Вт
Сопротивление в открытом состоянии	3,4Ом
Тип транзистора	N-MOSFET
Напряжение сток-исток	650В
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IPN60R3K4CEATMA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 1,6А; Idm: 3,9А; 5Вт; PG-SOT223 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Infineon Technologies IPN60R3K4CEATMA1 #IPN60R3K4CEATMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 1,6А; Idm: 3,9А; 5Вт; PG-SOT223	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт.	Запросить	Infineon Technologies IPN60R3K4CEATMA1 #IPN60R3K4CEATMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 1,6А; Idm: 3,9А; 5Вт; PG-SOT223 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽