Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — IRF8707TRPBF

IRF8707TRPBF Транзистор: N-MOSFET

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

По запросу

Запросить

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	1,6Вт
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Ток стока в импульсном режиме	88А
Ток стока	9,1А
Корпус	SO8
Технология	HEXFET®
Напряжение сток-исток	30В
Сопротивление в открытом состоянии	17,5мОм
Заряд затвора	9,3нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IRF8707TRPBF с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IRF8707TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Infineon Technologies IRF8707TRPBF #IRF8707TRPBF Транзистор: N-MOSFET	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3 шт. Кратность: 3 шт.	Запросить	Infineon Technologies IRF8707TRPBF #IRF8707TRPBF Транзистор: N-MOSFET Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3 шт. Кратность: 3 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽