IRLR3410TRLPBF
#IRLR3410TRLPBF
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: IRLR3410TRLPBF.pdf
Монтаж |
SMD |
Вид канала |
обогащенный |
Производитель |
INFINEON TECHNOLOGIES |
Ток стока в импульсном режиме |
60А |
Ток стока |
12А |
Корпус |
DPAK |
Технология |
HEXFET® |
Рассеиваемая мощность |
79Вт |
Сопротивление в открытом состоянии |
105мОм |
Тип транзистора |
N-MOSFET |
Напряжение сток-исток |
100В |
Напряжение затвор-исток |
±16В |
Полярность |
полевой |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для IRLR3410TRLPBF с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить IRLR3410TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 12А; Idm: 60А; 79Вт; DPAK можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0202
Поставка:
27 - 35 дней |
Infineon Technologies
IRLR3410TRLPBF
#IRLR3410TRLPBF |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |