IXTA110N12T2
#IXTA110N12T2
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: IXTA110N12T2.pdf
Монтаж |
SMD |
Вид канала |
обогащенный |
Рассеиваемая мощность |
517Вт |
Производитель |
IXYS |
Характеристики полупроводниковых элементов |
thrench gate power mosfet |
Ток стока |
110А |
Корпус |
TO263 |
Напряжение сток-исток |
120В |
Сопротивление в открытом состоянии |
14мОм |
Заряд затвора |
120нC |
Тип транзистора |
N-MOSFET |
Вид упаковки |
туба |
Время готовности |
64нс |
Полярность |
полевой |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXTA110N12T2 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить IXTA110N12T2 IXYS Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 110А; 517Вт; TO263; 64нс можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0202
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |