Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — P0R5B60HP2-5071

P0R5B60HP2-5071 Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 500мА; Idm: 2А

Внешний вид товара может отличаться от представленного

SHINDENGEN

По запросу

Запросить

Техническая документация: P0R5B60HP2-5071.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	35Вт
Производитель	SHINDENGEN
Ток стока в импульсном режиме	2А
Ток стока	500мА
Корпус	FB (TO252AA)
Технология	Hi-PotMOS2
Напряжение сток-исток	600В
Сопротивление в открытом состоянии	10Ом
Заряд затвора	4,3нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±30В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для P0R5B60HP2-5071 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить P0R5B60HP2-5071 SHINDENGEN Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 500мА; Idm: 2А можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	SHINDENGEN P0R5B60HP2-5071 #P0R5B60HP2-5071 Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 500мА; Idm: 2А	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	SHINDENGEN P0R5B60HP2-5071 #P0R5B60HP2-5071 Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 500мА; Idm: 2А Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽