Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — PMDXB600UNEZ

PMDXB600UNEZ Транзистор: N-MOSFET

Внешний вид товара может отличаться от представленного

NEXPERIA

По запросу

Запросить

Техническая документация: PMDXB600UNEZ.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Производитель	NEXPERIA
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока в импульсном режиме	2,5А
Ток стока	400мА
Корпус	SOT1216
Технология	Trench
Напряжение сток-исток	20В
Сопротивление в открытом состоянии	1Ом
Заряд затвора	700пC
Тип транзистора	N-MOSFET x2
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±8В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для PMDXB600UNEZ с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить PMDXB600UNEZ NEXPERIA Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Nexperia PMDXB600UNEZ #PMDXB600UNEZ Транзистор: N-MOSFET	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5000 шт. Кратность: 5000 шт.	Запросить	Nexperia PMDXB600UNEZ #PMDXB600UNEZ Транзистор: N-MOSFET Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5000 шт. Кратность: 5000 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽