Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — RU1J002YNTCL

RU1J002YNTCL Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0

8А; 150мВт

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ROHM SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: RU1J002YNTCL.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	150мВт
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока в импульсном режиме	0,8А
Ток стока	200мА
Корпус	SOT323F
Напряжение сток-исток	50В
Сопротивление в открытом состоянии	3,8Ом
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±8В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для RU1J002YNTCL с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить RU1J002YNTCL ROHM SEMICONDUCTOR Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	ROHM SEMICONDUCTOR RU1J002YNTCL #RU1J002YNTCL Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10 шт. Кратность: 10 шт.	Запросить	ROHM SEMICONDUCTOR RU1J002YNTCL #RU1J002YNTCL Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10 шт. Кратность: 10 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽