Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — SI1012CR-T1-GE3

SI1012CR-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0

63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A

Внешний вид товара может отличаться от представленного

VISHAY

По запросу

Запросить

Техническая документация: SI1012CR-T1-GE3.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	0,15Вт
Производитель	VISHAY
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока в импульсном режиме	2А
Ток стока	0,63А
Корпус	SC75A
Напряжение сток-исток	20В
Сопротивление в открытом состоянии	396мОм
Заряд затвора	2нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±8В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SI1012CR-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SI1012CR-T1-GE3 VISHAY Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Vishay SI1012CR-T1-GE3 #SI1012CR-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт.	Запросить	Vishay SI1012CR-T1-GE3 #SI1012CR-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽