loader
← Каталог

SI4850EY-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6А; Idm: 40А; 1

,

2Вт; SO8

SI4850EY-T1-GE3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

По запросу

  Техническая документация: SI4850EY-T1-GE3.pdf

Монтаж

SMD

Вид канала

обогащенный

Рассеиваемая мощность

1,2Вт

Производитель

VISHAY

Ток стока в импульсном режиме

40А

Ток стока

Корпус

SO8

Напряжение сток-исток

60В

Сопротивление в открытом состоянии

22мОм

Заряд затвора

27нC

Тип транзистора

N-MOSFET

Вид упаковки

лента

Напряжение затвор-исток

±20В

Полярность

полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SI4850EY-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SI4850EY-T1-GE3 VISHAY Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт; SO8 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
27 - 35 дней
Vishay
SI4850EY-T1-GE3

#SI4850EY-T1-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт; SO8

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 2500 шт.
Кратность: 2500 шт.

Vishay
SI4850EY-T1-GE3

#SI4850EY-T1-GE3


Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт; SO8

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 2500 шт.
Кратность: 2500 шт.