loader
← Каталог

SIA416DJ-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11

,

3А; Idm: 15А; 12Вт

SIA416DJ-T1-GE3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

По запросу

  Техническая документация: SIA416DJ-T1-GE3.pdf

Монтаж

SMD

Вид канала

обогащенный

Рассеиваемая мощность

12Вт

Производитель

VISHAY

Ток стока в импульсном режиме

15А

Ток стока

11,3А

Корпус

PowerPAK® SC70

Напряжение сток-исток

100В

Сопротивление в открытом состоянии

83мОм

Заряд затвора

10нC

Тип транзистора

N-MOSFET

Вид упаковки

лента

Напряжение затвор-исток

±20В

Полярность

полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SIA416DJ-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SIA416DJ-T1-GE3 VISHAY Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,3А; Idm: 15А; 12Вт можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
27 - 35 дней
Vishay
SIA416DJ-T1-GE3

#SIA416DJ-T1-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,3А; Idm: 15А; 12Вт

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 3000 шт.
Кратность: 3000 шт.

Vishay
SIA416DJ-T1-GE3

#SIA416DJ-T1-GE3


Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,3А; Idm: 15А; 12Вт

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 3000 шт.
Кратность: 3000 шт.