SIDR626DP-T1-GE3
#SIDR626DP-T1-GE3
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
+7 (981) 751-11-91
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
← Каталог
![SIDR626DP-T1-GE3]( "SIDR626DP-T1-GE3")
Каталог
—
Каталог ТМЕ
—
Полупроводники
—
Транзисторы
—
Транзисторы униполярные
—
Транзисторы с каналом типа N
—
Транзисторы с каналом N SMD
—
SIDR626DP-T1-GE3
SIDR626DP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 100А; Idm: 200А
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: SIDR626DP-T1-GE3.pdf
Монтаж |
SMD |
Вид канала |
обогащенный |
Рассеиваемая мощность |
80Вт |
Производитель |
VISHAY |
Ток стока в импульсном режиме |
200А |
Ток стока |
100А |
Корпус |
PowerPAK® SO8 |
Технология |
TrenchFET® |
Напряжение сток-исток |
60В |
Сопротивление в открытом состоянии |
2,6мОм |
Заряд затвора |
102нC |
Тип транзистора |
N-MOSFET |
Вид упаковки |
лента |
Напряжение затвор-исток |
±20В |
Полярность |
полевой |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для SIDR626DP-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить SIDR626DP-T1-GE3 VISHAY Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 100А; Idm: 200А можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
0.00
1
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0202
Поставка:
27 - 35 дней |
Vishay
SIDR626DP-T1-GE3 |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |