loader
← Каталог

SIHB12N60ET1-GE3 Транзистор: N-MOSFET

SIHB12N60ET1-GE3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: SIHB12N60ET1-GE3.pdf

Монтаж

SMD

Вид канала

обогащенный

Рассеиваемая мощность

147Вт

Производитель

VISHAY

Ток стока в импульсном режиме

27А

Ток стока

7,8А

Корпус

TO263

Напряжение сток-исток

600В

Сопротивление в открытом состоянии

380мОм

Заряд затвора

58нC

Тип транзистора

N-MOSFET

Вид упаковки

лента

Напряжение затвор-исток

±30В

Полярность

полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SIHB12N60ET1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SIHB12N60ET1-GE3 VISHAY / SILICONIX, VISHAY Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 3
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
27 - 35 дней
Vishay
SIHB12N60ET1-GE3

#SIHB12N60ET1-GE3

Транзистор: N-MOSFET

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

Vishay
SIHB12N60ET1-GE3

#SIHB12N60ET1-GE3


Транзистор: N-MOSFET

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#03011
Поставка:
15 - 25 дней
Vishay
SIHB12N60ET1-GE3

#1925169

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 800 шт.
Кратность: 800 шт.

Vishay
SIHB12N60ET1-GE3

#1925169


None

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 800 шт.
Кратность: 800 шт.

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
Vishay / Siliconix
SIHB12N60ET1-GE3
МОП-транзистор N-Channel 600V

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 800 шт.
Кратность: 800 шт.

Vishay / Siliconix
SIHB12N60ET1-GE3 МОП-транзистор N-Channel 600V

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 800 шт.
Кратность: 800 шт.