SIHB12N65E-GE3
#SIHB12N65E-GE3
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
+7 (981) 751-11-91
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
← Каталог
![SIHB12N65E-GE3]( "SIHB12N65E-GE3")
Каталог
—
Каталог ТМЕ
—
Полупроводники
—
Транзисторы
—
Транзисторы униполярные
—
Транзисторы с каналом типа N
—
Транзисторы с каналом N SMD
—
SIHB12N65E-GE3
SIHB12N65E-GE3 Транзистор: N-MOSFET
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Монтаж |
SMD |
Вид канала |
обогащенный |
Рассеиваемая мощность |
156Вт |
Производитель |
VISHAY |
Ток стока в импульсном режиме |
28А |
Ток стока |
8А |
Корпус |
TO263 |
Напряжение сток-исток |
650В |
Сопротивление в открытом состоянии |
380мОм |
Заряд затвора |
70нC |
Тип транзистора |
N-MOSFET |
Вид упаковки |
лента |
Напряжение затвор-исток |
±30В |
Полярность |
полевой |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для SIHB12N65E-GE3 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить SIHB12N65E-GE3 VISHAY Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
0.00
1