SIHB8N50D-GE3
#SIHB8N50D-GE3
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
+7 (812) 385-76-87
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
← Каталог
![SIHB8N50D-GE3]( "SIHB8N50D-GE3")
Каталог
—
Каталог ТМЕ
—
Полупроводники
—
Транзисторы
—
Транзисторы униполярные
—
Транзисторы с каналом типа N
—
Транзисторы с каналом N SMD
—
SIHB8N50D-GE3
SIHB8N50D-GE3 Транзистор: N-MOSFET
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: SIHB8N50D-GE3.pdf
Монтаж |
SMD |
Вид канала |
обогащенный |
Рассеиваемая мощность |
156Вт |
Производитель |
VISHAY |
Ток стока в импульсном режиме |
18А |
Ток стока |
5,5А |
Корпус |
TO263 |
Напряжение сток-исток |
500В |
Сопротивление в открытом состоянии |
850мОм |
Заряд затвора |
30нC |
Тип транзистора |
N-MOSFET |
Вид упаковки |
лента |
Напряжение затвор-исток |
±30В |
Полярность |
полевой |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для SIHB8N50D-GE3 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить SIHB8N50D-GE3 VISHAY SEMICONDUCTORS, VISHAY Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
0.00
2
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0202
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Vishay
SIHB8N50D-GE3 #SIHB8N50D-GE3 Транзистор: N-MOSFET Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
||
|
|
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |