Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — SIHD2N80AE-GE3

SIHD2N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1

8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; DPAK

Внешний вид товара может отличаться от представленного

VISHAY

По запросу

Запросить

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Производитель	VISHAY
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока в импульсном режиме	3,6А
Ток стока	1,8А
Корпус	TO252
Рассеиваемая мощность	62,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии	2,5Ом
Заряд затвора	10,5нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Напряжение сток-исток	800В
Напряжение затвор-исток	±30В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SIHD2N80AE-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SIHD2N80AE-GE3 VISHAY Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; DPAK можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Vishay SIHD2N80AE-GE3 #SIHD2N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; DPAK	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay SIHD2N80AE-GE3 #SIHD2N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; DPAK Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽