loader
← Каталог

SIS890DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 30А; Idm: 60А; 33Вт

SIS890DN-T1-GE3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

По запросу

  Техническая документация: SIS890DN-T1-GE3.pdf

Монтаж

SMD

Вид канала

обогащенный

Рассеиваемая мощность

33Вт

Производитель

VISHAY

Ток стока в импульсном режиме

60А

Ток стока

30А

Корпус

PowerPAK® 1212-8

Напряжение сток-исток

100В

Сопротивление в открытом состоянии

23,5мОм

Заряд затвора

29нC

Тип транзистора

N-MOSFET

Вид упаковки

лента

Напряжение затвор-исток

±20В

Полярность

полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SIS890DN-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SIS890DN-T1-GE3 VISHAY Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 30А; Idm: 60А; 33Вт можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
27 - 35 дней
Vishay
SIS890DN-T1-GE3

#SIS890DN-T1-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 30А; Idm: 60А; 33Вт

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 3000 шт.
Кратность: 3000 шт.

Vishay
SIS890DN-T1-GE3

#SIS890DN-T1-GE3


Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 30А; Idm: 60А; 33Вт

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 3000 шт.
Кратность: 3000 шт.