SISS40DN-T1-GE3
#SISS40DN-T1-GE3
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: SISS40DN-T1-GE3.pdf
Монтаж |
SMD |
Вид канала |
обогащенный |
Рассеиваемая мощность |
33Вт |
Производитель |
VISHAY |
Ток стока в импульсном режиме |
60А |
Ток стока |
29А |
Корпус |
PowerPAK® 1212-8 |
Технология |
TrenchFET® |
Напряжение сток-исток |
100В |
Сопротивление в открытом состоянии |
26мОм |
Заряд затвора |
24нC |
Тип транзистора |
N-MOSFET |
Вид упаковки |
лента |
Напряжение затвор-исток |
±20В |
Полярность |
полевой |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для SISS40DN-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить SISS40DN-T1-GE3 VISHAY SEMICONDUCTORS, VISHAY Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0202
Поставка:
27 - 35 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Vishay
SISS40DN-T1-GE3 #SISS40DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
||
|
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
1+ 223,92 ₽ 10+ 202,31 ₽ 100+ 161,46 ₽ 250+ 161,07 ₽ 500+ 138,28 ₽ 1000+ 117,46 ₽ 3000+ 117,26 ₽ |
По запросу
Ожидается поставка |
1+ 223,92 ₽ 10+ 202,31 ₽ 100+ 161,46 ₽ 250+ 161,07 ₽ 500+ 138,28 ₽ 1000+ 117,46 ₽ 3000+ 117,26 ₽ По запросу
Ожидается поставка |