loader
← Каталог

SISS40DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET

SISS40DN-T1-GE3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: SISS40DN-T1-GE3.pdf

Монтаж

SMD

Вид канала

обогащенный

Рассеиваемая мощность

33Вт

Производитель

VISHAY

Ток стока в импульсном режиме

60А

Ток стока

29А

Корпус

PowerPAK® 1212-8

Технология

TrenchFET®

Напряжение сток-исток

100В

Сопротивление в открытом состоянии

26мОм

Заряд затвора

24нC

Тип транзистора

N-MOSFET

Вид упаковки

лента

Напряжение затвор-исток

±20В

Полярность

полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SISS40DN-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SISS40DN-T1-GE3 VISHAY SEMICONDUCTORS, VISHAY Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

223.92 2
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
27 - 35 дней
Vishay
SISS40DN-T1-GE3

#SISS40DN-T1-GE3

Транзистор: N-MOSFET

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

Vishay
SISS40DN-T1-GE3

#SISS40DN-T1-GE3


Транзистор: N-MOSFET

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
Vishay Semiconductors
SISS40DN-T1-GE3
МОП-транзистор 100V .0210ohm@10V 36.5A N-Ch T-FET

1+ 223,92 ₽

10+ 202,31 ₽

100+ 161,46 ₽

250+ 161,07 ₽

500+ 138,28 ₽

1000+ 117,46 ₽

3000+ 117,26 ₽

По запросу

Ожидается поставка

Vishay Semiconductors
SISS40DN-T1-GE3 МОП-транзистор 100V .0210ohm@10V 36.5A N-Ch T-FET

1+ 223,92 ₽

10+ 202,31 ₽

100+ 161,46 ₽

250+ 161,07 ₽

500+ 138,28 ₽

1000+ 117,46 ₽

3000+ 117,26 ₽

По запросу

Ожидается поставка