Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — STB10NK60ZT4

STB10NK60ZT4 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5

7А; Idm: 36А; 115Вт; D2PAK

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ST MICROELECTRONICS

По запросу

Запросить

Техническая документация: STB10NK60ZT4.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Производитель	STMicroelectronics
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока в импульсном режиме	36А
Ток стока	5,7А
Корпус	D2PAK
Технология	SuperMesh™
Рассеиваемая мощность	115Вт
Сопротивление в открытом состоянии	750мОм
Тип транзистора	N-MOSFET
Напряжение сток-исток	600В
Напряжение затвор-исток	±30В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для STB10NK60ZT4 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить STB10NK60ZT4 ST MICROELECTRONICS Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5,7А; Idm: 36А; 115Вт; D2PAK можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	ST Microelectronics STB10NK60ZT4 #STB10NK60ZT4 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5,7А; Idm: 36А; 115Вт; D2PAK	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт.	Запросить	ST Microelectronics STB10NK60ZT4 #STB10NK60ZT4 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5,7А; Idm: 36А; 115Вт; D2PAK Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽