Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — STD4N80K5

STD4N80K5 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1

7А; Idm: 12А; 60Вт; DPAK

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ST MICROELECTRONICS

По запросу

Запросить

Техническая документация: STD4N80K5.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Производитель	STMicroelectronics
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока в импульсном режиме	12А
Ток стока	1,7А
Корпус	DPAK
Технология	MDmesh™ K5
Рассеиваемая мощность	60Вт
Сопротивление в открытом состоянии	2500мОм
Тип транзистора	N-MOSFET
Напряжение сток-исток	800В
Напряжение затвор-исток	±30В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для STD4N80K5 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить STD4N80K5 ST MICROELECTRONICS Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; Idm: 12А; 60Вт; DPAK можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	ST Microelectronics STD4N80K5 #STD4N80K5 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; Idm: 12А; 60Вт; DPAK	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт.	Запросить	ST Microelectronics STD4N80K5 #STD4N80K5 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; Idm: 12А; 60Вт; DPAK Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽