Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — YJD80G06A

YJD80G06A Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 56А; 42

5Вт

Внешний вид товара может отличаться от представленного

YANGJIE TECHNOLOGY

По запросу

Запросить

Техническая документация: YJD80G06A.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	42,5Вт
Производитель	YANGJIE TECHNOLOGY
Ток стока в импульсном режиме	240А
Ток стока	56А
Корпус	TO252
Технология	SPLIT GATE TRENCH
Напряжение сток-исток	60В
Сопротивление в открытом состоянии	11мОм
Заряд затвора	31нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для YJD80G06A с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить YJD80G06A YANGJIE TECHNOLOGY Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 56А; 42,5Вт можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	YANGJIE TECHNOLOGY YJD80G06A #YJD80G06A-YAN Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 56А; 42,5Вт	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3 шт. Кратность: 3 шт.	Запросить	YANGJIE TECHNOLOGY YJD80G06A #YJD80G06A-YAN Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 56А; 42,5Вт Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3 шт. Кратность: 3 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽