Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — YJQ35G10A

YJQ35G10A Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 120А; 54Вт

Внешний вид товара может отличаться от представленного

YANGJIE TECHNOLOGY

По запросу

Запросить

Техническая документация: YJQ35G10A.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	54Вт
Производитель	YANGJIE TECHNOLOGY
Ток стока в импульсном режиме	120А
Ток стока	35А
Корпус	DFN3.3x3.3
Напряжение сток-исток	100В
Сопротивление в открытом состоянии	20мОм
Заряд затвора	20нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для YJQ35G10A с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить YJQ35G10A YANGJIE TECHNOLOGY Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 120А; 54Вт можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	YANGJIE TECHNOLOGY YJQ35G10A #YJQ35G10A-YAN Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 120А; 54Вт	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3 шт. Кратность: 3 шт.	Запросить	YANGJIE TECHNOLOGY YJQ35G10A #YJQ35G10A-YAN Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 120А; 54Вт Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3 шт. Кратность: 3 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽