Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N THT — APT1001R6BFLLG

APT1001R6BFLLG Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 8А; Idm: 32А; 266Вт; TO247-3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

MICROCHIP (MICROSEMI)

По запросу

Запросить

Монтаж	THT
Вид канала	обогащенный
Производитель	MICROCHIP (MICROSEMI)
Ток стока в импульсном режиме	32А
Ток стока	8А
Корпус	TO247-3
Технология	POWER MOS 7®
Рассеиваемая мощность	266Вт
Сопротивление в открытом состоянии	1,6Ом
Заряд затвора	55нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Напряжение сток-исток	1кВ
Напряжение затвор-исток	±30В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для APT1001R6BFLLG с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить APT1001R6BFLLG MICROCHIP (MICROSEMI) Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 8А; Idm: 32А; 266Вт; TO247-3 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	MICROCHIP (MICROSEMI) APT1001R6BFLLG #APT1001R6BFLLG Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 8А; Idm: 32А; 266Вт; TO247-3	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	MICROCHIP (MICROSEMI) APT1001R6BFLLG #APT1001R6BFLLG Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 8А; Idm: 32А; 266Вт; TO247-3 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽