Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N THT — APT10086BVFRG

APT10086BVFRG Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 13А; Idm: 52А

Внешний вид товара может отличаться от представленного

MICROCHIP (MICROSEMI)

По запросу

Запросить

Монтаж	THT
Вид канала	обогащенный
Производитель	MICROCHIP (MICROSEMI)
Ток стока в импульсном режиме	52А
Ток стока	13А
Корпус	TO247-3
Технология	POWER MOS 5®
Рассеиваемая мощность	370Вт
Сопротивление в открытом состоянии	860мОм
Заряд затвора	275нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Напряжение сток-исток	1кВ
Напряжение затвор-исток	±30В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для APT10086BVFRG с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить APT10086BVFRG MICROCHIP (MICROSEMI) Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 13А; Idm: 52А можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	MICROCHIP (MICROSEMI) APT10086BVFRG #APT10086BVFRG Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 13А; Idm: 52А	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	MICROCHIP (MICROSEMI) APT10086BVFRG #APT10086BVFRG Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 13А; Idm: 52А Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽