Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N THT — BXW60M1K2J

BXW60M1K2J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1

2кВ; 60А; Idm: 240А; 271,7Вт

Внешний вид товара может отличаться от представленного

BRIDGELUX

По запросу

Запросить

Техническая документация: BXW60M1K2J.pdf

Монтаж	THT
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	271,7Вт
Производитель	BRIDGELUX
Характеристики полупроводниковых элементов	вывод Кельвина
Ток стока в импульсном режиме	240А
Ток стока	60А
Корпус	TO247-4
Технология	SiC
Напряжение сток-исток	1,2кВ
Сопротивление в открытом состоянии	80мОм
Заряд затвора	170нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	туба
Напряжение затвор-исток	-3...18В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для BXW60M1K2J с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить BXW60M1K2J BRIDGELUX Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 240А; 271,7Вт можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	BRIDGELUX BXW60M1K2J #BXW60M1K2J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 240А; 271,7Вт	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	BRIDGELUX BXW60M1K2J #BXW60M1K2J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 240А; 271,7Вт Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽