Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N THT — IPA80R1K4P7XKSA1

IPA80R1K4P7XKSA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2

7А; Idm: 8,9А; 24Вт

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

По запросу

Запросить

Монтаж	THT
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	24Вт
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока в импульсном режиме	8,9А
Ток стока	2,7А
Корпус	TO220FP
Технология	CoolMOS™ P7
Напряжение сток-исток	800В
Сопротивление в открытом состоянии	1,4Ом
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	туба
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IPA80R1K4P7XKSA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IPA80R1K4P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 8,9А; 24Вт можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Infineon Technologies IPA80R1K4P7XKSA1 #IPA80R1K4P7XKSA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 8,9А; 24Вт	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Infineon Technologies IPA80R1K4P7XKSA1 #IPA80R1K4P7XKSA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 8,9А; 24Вт Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽