Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N THT — IRF200B211

IRF200B211 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9А; Idm: 34А; 80Вт; TO220AB

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

По запросу

Запросить

Техническая документация: IRF200B211.pdf

Монтаж	THT
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	80Вт
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Ток стока в импульсном режиме	34А
Ток стока	9А
Корпус	TO220AB
Технология	HEXFET®
Напряжение сток-исток	200В
Сопротивление в открытом состоянии	170мОм
Заряд затвора	23нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	туба
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IRF200B211 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IRF200B211 INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9А; Idm: 34А; 80Вт; TO220AB можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Infineon Technologies IRF200B211 #IRF200B211 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9А; Idm: 34А; 80Вт; TO220AB	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Infineon Technologies IRF200B211 #IRF200B211 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9А; Idm: 34А; 80Вт; TO220AB Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽