Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N THT — WMJ80N65F2

WMJ80N65F2 Транзистор: N-MOSFET; полевой

Внешний вид товара может отличаться от представленного

WAYON

По запросу

Запросить

Техническая документация: WMJ80N65F2.pdf

Монтаж	THT
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	410Вт
Производитель	WAYON
Напряжение затвор-исток	±30В
Ток стока в импульсном режиме	245А
Ток стока	45А
Корпус	TO247-3
Технология	WMOS™ F2
Напряжение сток-исток	650В
Сопротивление в открытом состоянии	37мОм
Заряд затвора	26,2нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	туба
Время готовности	190нс
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для WMJ80N65F2 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить WMJ80N65F2 WAYON Транзистор: N-MOSFET; полевой можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	WAYON WMJ80N65F2 #WMJ80N65F2-CYG Транзистор: N-MOSFET; полевой	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	WAYON WMJ80N65F2 #WMJ80N65F2-CYG Транзистор: N-MOSFET; полевой Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽