Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа P — Транзисторы с каналом P SMD — 2SJ668(TE16L1,NQ)

2SJ668(TE16L1,NQ) Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5А; 20Вт; DPAK

Внешний вид товара может отличаться от представленного

TOSHIBA

По запросу

Запросить

Техническая документация: 2SJ668(TE16L1,NQ).pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	20Вт
Производитель	TOSHIBA
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока	-5А
Корпус	DPAK
Напряжение сток-исток	-60В
Сопротивление в открытом состоянии	120мОм
Заряд затвора	15нC
Тип транзистора	P-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для 2SJ668(TE16L1,NQ) с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить 2SJ668(TE16L1,NQ) TOSHIBA Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5А; 20Вт; DPAK можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	TOSHIBA 2SJ668(TE16L1,NQ) #2SJ668 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5А; 20Вт; DPAK	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2000 шт. Кратность: 2000 шт.	Запросить	TOSHIBA 2SJ668(TE16L1,NQ) #2SJ668 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5А; 20Вт; DPAK Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2000 шт. Кратность: 2000 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽