Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа P — Транзисторы с каналом P SMD — BSZ180P03NS3EGATMA

BSZ180P03NS3EGATMA Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39

6А; 40Вт; PG-TSDSON-8

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

По запросу

Запросить

Техническая документация: BSZ180P03NS3EGATMA.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Ток стока	-39,6А
Корпус	PG-TSDSON-8
Технология	OptiMOS™ P3
Рассеиваемая мощность	40Вт
Сопротивление в открытом состоянии	18мОм
Тип транзистора	P-MOSFET
Напряжение сток-исток	-30В
Напряжение затвор-исток	±25В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для BSZ180P03NS3EGATMA с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить BSZ180P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Infineon Technologies BSZ180P03NS3EGATMA #BSZ180P03NS3EGATMA Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5000 шт. Кратность: 5000 шт.	Запросить	Infineon Technologies BSZ180P03NS3EGATMA #BSZ180P03NS3EGATMA Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5000 шт. Кратность: 5000 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽